砷化镓
| 砷化镓(GaAs)晶体基片 | ||
| 技术参数 | 单晶 | 砷化镓(GaAs) |
| 掺杂 | None；Si；Cr；Te；Zn | |
| 导电类型 | Si；N；Si；N；P | |
| 载流子浓度cm-3 | />5x10¹⁷/~2x10¹⁸>5x10¹⁸ | |
| 位错密度cm-2 | <5x10⁵ | |
| 生长方法及最大尺寸 | LEC&HBØ3" | |
| 常规尺寸 | 常规晶向 | <100> |
| 常规尺寸 | 10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm | |
| 抛光情况 | 单抛或双抛 | |
| 表面粗糙度Ra： | <15A | |
| 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 | ||
| 备注 | 1000级超净室100级超净袋 | |
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